Historia de los USB
Las unidades flash USB fueron inventadas en 1995 por IBM como un reemplazo de las unidades de disquete para su línea de productos ThinkPad. Aunque fue un invento de IBM, ésta no lo patentó. IBM contrató más tarde a M-Systems para desarrollarlo y fabricarlo en forma no exclusiva. M-Systems mantiene la patente de este dispositivo, como también otras pocas relacionadas.
Las modernas unidades flash (2009) poseen conectividad USB 2.0 y almacenan hasta 256 GB de memoria (lo cual es 1024 veces mayor al diseño de M-Systems).
Generalidades
La memoria flash es una forma de memoria de computadora no volátil que puede ser borrada y reprogramada eléctricamente.
En el uso contemporáneo, la memoria suele referirse a una forma de almacenamiento de estado sólido conocido como memoria de acceso aleatorio (RAM) y las formas a veces, otros de almacenamiento rápido pero temporal.
Memoria de acceso aleatorio (normalmente conocida por su acrónimo, RAM) es un tipo de almacén de datos utilizado en las computadoras que permite que los datos almacenados para ser visitados en cualquier orden - es decir, al azar, no sólo en la secuencia. En contraste, otros tipos de dispositivos de memoria (como cintas magnéticas, discos y tambores) pueden acceder a datos sobre el medio de almacenamiento sólo en un orden predeterminado debido a las limitaciones en su diseño mecánico.
A diferencia de la EEPROM, se borra y se programa en bloques que consiste en múltiples lugares (en flash los principios del chip entero tiene que ser borrado a la vez).
Una memoria flash cuesta mucho menos que la EEPROM, por lo que se ha convertido en la tecnología dominante donde se necesita una gran cantidad de no-volátil, almacenamiento de estado sólido.
En el uso contemporáneo, la memoria suele referirse a una forma de almacenamiento de estado sólido conocido como memoria de acceso aleatorio (RAM) y las formas a veces, otros de almacenamiento rápido pero temporal.
Memoria de acceso aleatorio (normalmente conocida por su acrónimo, RAM) es un tipo de almacén de datos utilizado en las computadoras que permite que los datos almacenados para ser visitados en cualquier orden - es decir, al azar, no sólo en la secuencia. En contraste, otros tipos de dispositivos de memoria (como cintas magnéticas, discos y tambores) pueden acceder a datos sobre el medio de almacenamiento sólo en un orden predeterminado debido a las limitaciones en su diseño mecánico.
A diferencia de la EEPROM, se borra y se programa en bloques que consiste en múltiples lugares (en flash los principios del chip entero tiene que ser borrado a la vez).
Una memoria flash cuesta mucho menos que la EEPROM, por lo que se ha convertido en la tecnología dominante donde se necesita una gran cantidad de no-volátil, almacenamiento de estado sólido.
Principios de funcionamiento
La memoria flash almacena información en una matriz de transistores de puerta flotante, llamados "células", cada uno de los que tradicionalmente se almacena un bit de información. Nuevos dispositivos de memoria flash, a veces se denomina dispositivos de células de varios niveles, puede almacenar más de 1 bit por celda, con más de dos niveles de carga eléctrica, colocada en la puerta flotante de una célula.
NAND Flash utiliza inyección en el túnel para la escritura y la liberación del túnel para borrar. La memoria flash NAND es el núcleo de la dispositivos extraíbles de almacenamiento USB interfaz conocida como las unidades flash USB.
Inyección en el túnel es el efecto túnel cuántico, también llamado Fowler-Nordheim inyección en el túnel, cuando los portadores de carga se inyecta a una línea eléctrica a través de una fina capa de un aislante eléctrico.
Se utiliza para programar la memoria flash NAND. (Cf. comunicado del túnel, que se utiliza para su borrado.)
Una alternativa a la inyección en el túnel es la Inyección de giro
NAND Flash utiliza inyección en el túnel para la escritura y la liberación del túnel para borrar. La memoria flash NAND es el núcleo de la dispositivos extraíbles de almacenamiento USB interfaz conocida como las unidades flash USB.
Inyección en el túnel es el efecto túnel cuántico, también llamado Fowler-Nordheim inyección en el túnel, cuando los portadores de carga se inyecta a una línea eléctrica a través de una fina capa de un aislante eléctrico.
Se utiliza para programar la memoria flash NAND. (Cf. comunicado del túnel, que se utiliza para su borrado.)
Una alternativa a la inyección en el túnel es la Inyección de giro
Memoria USB Flash
Las Unidades flash USB son de tipo flash NAND dispositivos de almacenamiento de datos de memoria integrados con una interfaz USB. Por lo general son pequeños, ligeros, desmontables y regrabables. La capacidad de memoria normalmente oscila entre 128 megabytes hasta 64 gigabytes
En las Memorias flash NAND se accede al igual que en los dispositivos de bloques tales como discos duros o tarjetas de memoria. Los bloques son generalmente 512 o 2048 bytes de tamaño. Asociados a cada bloque son unos pocos bytes (típicamente 12-16 bytes) que se debe utilizar para el almacenamiento de una detección de errores y comprobación bloque de corrección.
Dispositivos NAND estan típicamente basados en software de gestión de bloques malos. Esto significa que cuando un bloque lógico es asignado a un bloque físico, y el dispositivo tiene un número de bloques de un lado para compensar a los bloques dañados y para el almacenamiento de las tablas de asignación primaria y secundaria.
Componentes primarios
- Un conector USB macho tipo A : Provee la interfaz física con la computadora.
- Controlador USB de almacenamiento masivo : Implementa el controlador USB y provee la interfaz homogénea y lineal para dispositivos USB seriales orientados a bloques, mientras oculta la complejidad de la orientación a bloques, eliminación de bloques y balance de desgaste. Este controlador posee un pequeño microprocesador RISC y un pequeño número de circuitos de memoria RAM y ROM.
- Circuito de memoria Flash NAND : Almacena los datos.
- Oscilador de cristal : Produce la señal de reloj principal del dispositivo y controla la salida de datos a través de un bucle de fase cerrado
Componentes adicionales
- · Ayuda para el transporte: En muchos casos, la tapa contiene una abertura adecuada para una cadena o collar, sin embargo este diseño aumenta el riesgo de perder el dispositivo. Por esta razón muchos otros tiene dicha abertura en el cuerpo del dispositivo y no en la tapa, la desventaja de este diseño está en que la cadena o collar queda unida al dispositivo mientras está conectado. Muchos diseños traen la abertura en ambos lugares.
- Puentes y Puntos de prueba: Utilizados en pruebas durante la fabricación de la unidad o para la carga de código dentro del procesador.
- LEDs: Indican la transferencia de datos entre el dispositivo y la computadora.
- Interruptor para protección de escritura: Utilizado para proteger los datos de operaciones de escritura o borrado.
- Espacio Libre: Se dispone de un espacio para incluir un segundo circuito de memoria. Esto le permite a los fabricantes utilizar el mismo circuito impreso para dispositivos de distintos tamaños y responder así a las necesidades del mercado.
- Tapa del conector USB: Reduce el riesgo de daños y mejora la apariencia del dispositivo. Algunas unidades no presentan una tapa pero disponen de una conexión USB retráctil. Otros dispositivos poseen una tapa giratoria que no se separa nunca del dispositivo y evita el riesgo de perderla.
Noticias Recientes
Un nuevo dispositivo de memoria conserva los contenidos durante 100 años
Madrid, 1 dic. Un nuevo dispositivo de memoria flash garantiza la conservación de datos, incluyendo fotografías, durante un periodo de cien años, según informó su fabricante, SanDisk.
La empresa califica el nuevo producto, el SanDisk Memory Vault, como el álbum de fotos de la era digital, ya que conserva las imágenes de forma segura.
El dispositivo se conecta al puerto USB del ordenador y mediante la función de arrastrar y soltar recoge la información que se quiere guardar.
